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VMM 85-02F
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 pulsed
40
60
S
C iss
9600 15000 pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External), resistive load
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
1800
620
70
80
200
100
380
70
190
4500 pF
1500 pF
ns
ns
ns
ns
450 nC
110 nC
230 nC
0.33 K/W
R thCH
d S
d A
a
heatsink compound applied
Creepage distance on surface
Strike distance through air
Allowable acceleration
12.7
9.6
0.2
K/W
mm
mm
50 m/s 2
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min. typ. max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
84
335
A
A
V SD
t rr
I F = I S ; V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 μs, duty cycle d ￡ 2%
I F = I S , -di/dt = 100 A/μs, V DS = 100 V, V GS = 0 V
0.9
200
1.2
400
V
ns
IXYS MOSFETs IXYS IGBTs rights reserved the following U.S.patents:
are covered by one of
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
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